Vishay Siliconix - SI7923DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522073

SI7923DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [115693ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.31970
  • 3,000 pcs$0.28444

Hissə nömrəsi:
SI7923DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7923DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7923DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7923DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7923DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 P-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
Gücü - Maks : 1.3W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8 Dual