Hissə nömrəsi :
SI3467DV-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
-
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.14W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
6-TSOP
Paket / Case :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6