Təsvir :
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
FET növü :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature :
GaNFET (Gallium Nitride)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
830pF @ 30V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
Die