Taiwan Semiconductor Corporation - S1KLHRVG

KEY Part #: K6437579

S1KLHRVG Qiymətləndirmə (USD) [2321207ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.01593

Hissə nömrəsi:
S1KLHRVG
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHRVG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S1KLHRVG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S1KLHRVG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1KLHRVG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : S1KLHRVG
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 800V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 1A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 1.8µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 800V
Kapasitans @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-219AB
Təchizatçı cihaz paketi : Sub SMA
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM