Vishay Siliconix - SI3477DV-T1-GE3

KEY Part #: K6420908

SI3477DV-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [290392ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.11986

Hissə nömrəsi:
SI3477DV-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Subay and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI3477DV-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI3477DV-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3477DV-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI3477DV-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 12V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2600pF @ 6V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 6-TSOP
Paket / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Maraqlı ola bilərsiniz