Hissə nömrəsi :
IDB30E60ATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
52.3A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2V @ 30A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
126ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
50µA @ 600V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO263-3-2
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-40°C ~ 175°C