Hissə nömrəsi :
IDB30E120ATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
50A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2.15V @ 30A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
243ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100µA @ 1200V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO263-3
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C