IXYS-RF - IXFH6N100F

KEY Part #: K6393702

IXFH6N100F Qiymətləndirmə (USD) [10590ədəd Stok]

  • 1 pcs$4.90940
  • 10 pcs$4.41758
  • 100 pcs$3.63216
  • 500 pcs$3.04315

Hissə nömrəsi:
IXFH6N100F
İstehsalçı:
IXYS-RF
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - JFETlər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS-RF IXFH6N100F elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH6N100F sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH6N100F üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH6N100F Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFH6N100F
İstehsalçı : IXYS-RF
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Seriya : HiPerRF™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1770pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 180W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247 (IXFH)
Paket / Case : TO-247-3