Hissə nömrəsi :
ISL9R860S3ST
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
8A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2.4V @ 8A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100µA @ 600V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-263AB (D²PAK)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C