Hissə nömrəsi :
APTCV50H60T3G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
IGBT növü :
NPT, Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Full Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
250µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP3