Infineon Technologies - BSC084P03NS3EGATMA1

KEY Part #: K6420424

BSC084P03NS3EGATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [194062ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.19060
  • 5,000 pcs$0.18296

Hissə nömrəsi:
BSC084P03NS3EGATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - TRIACs, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC084P03NS3EGATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC084P03NS3EGATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC084P03NS3EGATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC084P03NS3EGATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 110µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 57.7nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±25V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4240pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN