Infineon Technologies - SPB07N60C3ATMA1

KEY Part #: K6418808

SPB07N60C3ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [78219ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.49988

Hissə nömrəsi:
SPB07N60C3ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies SPB07N60C3ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SPB07N60C3ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SPB07N60C3ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPB07N60C3ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SPB07N60C3ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Seriya : CoolMOS™
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 350µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 790pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 83W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-3-2
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB