Vishay Siliconix - SIS890DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419876

SIS890DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [140802ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.26269
  • 3,000 pcs$0.24667

Hissə nömrəsi:
SIS890DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - SCR - Modullar and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIS890DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIS890DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS890DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIS890DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 802pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8

Maraqlı ola bilərsiniz