Hissə nömrəsi :
S3MHE3_A/I
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1000V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.15V @ 2.5A
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
2.5µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-214AB, SMC
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-214AB (SMC)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C