Hissə nömrəsi :
IXTY01N100
Təsvir :
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
100mA (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
54pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
25W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-252AA
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63