Infineon Technologies - BSC028N06NSTATMA1

KEY Part #: K6419163

BSC028N06NSTATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [95208ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.41069

Hissə nömrəsi:
BSC028N06NSTATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC028N06NSTATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC028N06NSTATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC028N06NSTATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC028N06NSTATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC028N06NSTATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : DIFFERENTIATED MOSFETS
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 50µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3375pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3W (Ta), 100W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN