Hissə nömrəsi :
JAN1N6628
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Seriya :
Military, MIL-PRF-19500/590
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
660V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1.75A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.35V @ 1.2A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
2µA @ 600V
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
-
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C