Infineon Technologies - FS50R12KE3BOSA1

KEY Part #: K6532678

FS50R12KE3BOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [1123ədəd Stok]

  • 1 pcs$38.54656

Hissə nömrəsi:
FS50R12KE3BOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IGBT MODULE 1200V 50A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FS50R12KE3BOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FS50R12KE3BOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FS50R12KE3BOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS50R12KE3BOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FS50R12KE3BOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IGBT MODULE 1200V 50A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : NPT
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 75A
Gücü - Maks : 270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 3.5nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.