Infineon Technologies - FP10R12W1T7B11BOMA1

KEY Part #: K6532746

FP10R12W1T7B11BOMA1 Qiymətləndirmə (USD) [2466ədəd Stok]

  • 1 pcs$17.55907

Hissə nömrəsi:
FP10R12W1T7B11BOMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
LOW POWER EASY.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FP10R12W1T7B11BOMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FP10R12W1T7B11BOMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FP10R12W1T7B11BOMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP10R12W1T7B11BOMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FP10R12W1T7B11BOMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : LOW POWER EASY
Seriya : *
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : -
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : -
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : -
Gücü - Maks : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : -
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : -
Giriş : -
NTC Termistor : -
Əməliyyat temperaturu : -
Montaj növü : -
Paket / Case : -
Təchizatçı cihaz paketi : -

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT