Hissə nömrəsi :
GSID150A120S3B1
İstehsalçı :
Global Power Technologies Group
Təsvir :
SILICON IGBT MODULES
Konfiqurasiya :
2 Independent
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 150A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
D-3 Module
Təchizatçı cihaz paketi :
D3