Infineon Technologies - FD200R12PT4B6BOSA1

KEY Part #: K6532750

FD200R12PT4B6BOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [505ədəd Stok]

  • 1 pcs$91.86184

Hissə nömrəsi:
FD200R12PT4B6BOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FD200R12PT4B6BOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FD200R12PT4B6BOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FD200R12PT4B6BOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD200R12PT4B6BOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FD200R12PT4B6BOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 300A
Gücü - Maks : 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 15µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT