STMicroelectronics - STD110N8F6

KEY Part #: K6419558

STD110N8F6 Qiymətləndirmə (USD) [118809ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.31132
  • 2,500 pcs$0.27713

Hissə nömrəsi:
STD110N8F6
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STD110N8F6 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STD110N8F6 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STD110N8F6 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD110N8F6 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STD110N8F6
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Seriya : STripFET™ F6
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 9130pF @ 40V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 167W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz