Vishay Siliconix - SI7370ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6393574

SI7370ADP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [89966ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.43679
  • 3,000 pcs$0.43461

Hissə nömrəsi:
SI7370ADP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7370ADP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7370ADP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7370ADP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7370ADP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7370ADP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2850pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8