Infineon Technologies - IPD80R4K5P7ATMA1

KEY Part #: K6420877

IPD80R4K5P7ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [277798ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.13315
  • 2,500 pcs$0.11172

Hissə nömrəsi:
IPD80R4K5P7ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - JFETlər and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD80R4K5P7ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD80R4K5P7ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD80R4K5P7ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R4K5P7ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD80R4K5P7ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Seriya : CoolMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 80pF @ 500V
FET Feature : Super Junction
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 13W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz