Hissə nömrəsi :
SPB10N10 G
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
10.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 21µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
426pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
50W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO263-3-2
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB