Diodes Incorporated - DMT6007LFG-7

KEY Part #: K6395161

DMT6007LFG-7 Qiymətləndirmə (USD) [181579ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.20370
  • 2,000 pcs$0.18028

Hissə nömrəsi:
DMT6007LFG-7
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMT6007LFG-7 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMT6007LFG-7 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMT6007LFG-7 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6007LFG-7 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMT6007LFG-7
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2090pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerDI3333-8
Paket / Case : 8-PowerWDFN