Vishay Siliconix - SI2342DS-T1-GE3

KEY Part #: K6421340

SI2342DS-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [471021ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Hissə nömrəsi:
SI2342DS-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI2342DS-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI2342DS-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI2342DS-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2342DS-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI2342DS-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 8V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15.8nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1070pF @ 4V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Maraqlı ola bilərsiniz