Global Power Technologies Group - GSID100A120T2C1A

KEY Part #: K6532566

GSID100A120T2C1A Qiymətləndirmə (USD) [761ədəd Stok]

  • 1 pcs$61.28982
  • 6 pcs$60.98490

Hissə nömrəsi:
GSID100A120T2C1A
İstehsalçı:
Global Power Technologies Group
Ətraflı Təsviri:
SILICON IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Global Power Technologies Group GSID100A120T2C1A elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. GSID100A120T2C1A sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. GSID100A120T2C1A üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID100A120T2C1A Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : GSID100A120T2C1A
İstehsalçı : Global Power Technologies Group
Təsvir : SILICON IGBT MODULES
Seriya : Amp+™
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 200A
Gücü - Maks : 800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V
Giriş : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.