Vishay Siliconix - SIHD2N80E-GE3

KEY Part #: K6419858

SIHD2N80E-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [139084ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.26593

Hissə nömrəsi:
SIHD2N80E-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIHD2N80E-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIHD2N80E-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD2N80E-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIHD2N80E-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Seriya : E
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 315pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 62.5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D-PAK (TO-252AA)
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63