Hissə nömrəsi :
DMT6012LSS-13
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFET N-CH 60V8SOIC
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
10.4A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
22.2nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1522pF @ 30V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.2W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SO
Paket / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)