Texas Instruments - CSD19536KTT

KEY Part #: K6400638

CSD19536KTT Qiymətləndirmə (USD) [32303ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.40074
  • 500 pcs$1.39378
  • 1,000 pcs$1.17547

Hissə nömrəsi:
CSD19536KTT
İstehsalçı:
Texas Instruments
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Güc Sürücü Modulları and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Texas Instruments CSD19536KTT elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. CSD19536KTT sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. CSD19536KTT üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19536KTT Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : CSD19536KTT
İstehsalçı : Texas Instruments
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Seriya : NexFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 12000pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DDPAK/TO-263-3
Paket / Case : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA