Vishay Siliconix - SIA430DJT-T1-GE3

KEY Part #: K6393437

SIA430DJT-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [459022ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.08058

Hissə nömrəsi:
SIA430DJT-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCRlər and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIA430DJT-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIA430DJT-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA430DJT-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIA430DJT-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 800pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 19.2W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Case : PowerPAK® SC-70-6