Vishay Siliconix - SI3473DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421467

SI3473DDV-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [586266ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.06309

Hissə nömrəsi:
SI3473DDV-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI3473DDV-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI3473DDV-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI3473DDV-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3473DDV-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI3473DDV-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Seriya : TrenchFET® Gen III
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 12V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 8V
Vgs (Maks) : ±8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1975pF @ 6V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.6W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 6-TSOP
Paket / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6