Diodes Incorporated - DMN60H080DS-7

KEY Part #: K6404930

DMN60H080DS-7 Qiymətləndirmə (USD) [885618ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.04176

Hissə nömrəsi:
DMN60H080DS-7
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN60H080DS-7 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN60H080DS-7 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN60H080DS-7 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN60H080DS-7 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN60H080DS-7
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80mA (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 Ohm @ 60mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 25pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.1W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23-3
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3