Hissə nömrəsi :
IRFBE30LPBF
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1300pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
I2PAK
Paket / Case :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA