Infineon Technologies - FS450R12OE4PBOSA1

KEY Part #: K6532704

FS450R12OE4PBOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [176ədəd Stok]

  • 1 pcs$262.09028

Hissə nömrəsi:
FS450R12OE4PBOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOD IGBT MED PWR ECONOPP-2.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FS450R12OE4PBOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FS450R12OE4PBOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FS450R12OE4PBOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS450R12OE4PBOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FS450R12OE4PBOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOD IGBT MED PWR ECONOPP-2
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Full Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 900A
Gücü - Maks : 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 450A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 3mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 1.55nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.