IXYS - IXFH26N55Q

KEY Part #: K6408882

[474ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IXFH26N55Q
    İstehsalçı:
    IXYS
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 550V 26A TO-247.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
    Rəqabətli üstünlük:
    IXYS IXFH26N55Q elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH26N55Q sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH26N55Q üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH26N55Q Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IXFH26N55Q
    İstehsalçı : IXYS
    Təsvir : MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
    Seriya : HiPerFET™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 550V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 26A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±30V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3000pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 375W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AD (IXFH)
    Paket / Case : TO-247-3