Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20MT120UFAPBF

KEY Part #: K6532804

VS-20MT120UFAPBF Qiymətləndirmə (USD) [1613ədəd Stok]

  • 1 pcs$26.84784
  • 105 pcs$25.56935

Hissə nömrəsi:
VS-20MT120UFAPBF
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
IGBT 1200V 20A 240W MTP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Zener - Subay and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20MT120UFAPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-20MT120UFAPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-20MT120UFAPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20MT120UFAPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-20MT120UFAPBF
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : IGBT 1200V 20A 240W MTP
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : NPT
Konfiqurasiya : Full Bridge Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 20A
Gücü - Maks : 240W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 4.66V @ 15V, 40A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 250µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 3.79nF @ 30V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : 16-MTP Module
Təchizatçı cihaz paketi : MTP

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT