İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
500mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 100mA
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
-
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
25nA @ 175V
Kapasitans @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-35
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
175°C (Max)