Vishay Semiconductor Diodes Division - UH5JT-E3/4W

KEY Part #: K6445575

UH5JT-E3/4W Qiymətləndirmə (USD) [2060ədəd Stok]

  • 1,000 pcs$0.20556

Hissə nömrəsi:
UH5JT-E3/4W
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - RF, Güc Sürücü Modulları and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division UH5JT-E3/4W elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. UH5JT-E3/4W sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. UH5JT-E3/4W üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH5JT-E3/4W Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : UH5JT-E3/4W
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 8A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 3V @ 5A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 40ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Through Hole
Paket / Case : TO-220-2
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AC
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode