Infineon Technologies - IRFB3307ZPBF

KEY Part #: K6400432

IRFB3307ZPBF Qiymətləndirmə (USD) [35289ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.00762
  • 10 pcs$0.91188
  • 100 pcs$0.73264
  • 500 pcs$0.56983
  • 1,000 pcs$0.47214

Hissə nömrəsi:
IRFB3307ZPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Subay and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRFB3307ZPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFB3307ZPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFB3307ZPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB3307ZPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRFB3307ZPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 75V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4750pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 230W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3