Microsemi Corporation - JAN1N4960CUS

KEY Part #: K6479759

JAN1N4960CUS Qiymətləndirmə (USD) [4096ədəd Stok]

  • 1 pcs$10.57320
  • 100 pcs$9.50154

Hissə nömrəsi:
JAN1N4960CUS
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE ZENER 12V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JAN1N4960CUS elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JAN1N4960CUS sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JAN1N4960CUS üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4960CUS Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JAN1N4960CUS
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE ZENER 12V 5W D5B
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/356
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Zener (Nom) (Vz) : 12V
Dözümlülük : ±2%
Gücü - Maks : 5W
Empedans (Maks) (Zzt) : 2.5 Ohms
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 9.1V
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.5V @ 1A
Əməliyyat temperaturu : -65°C ~ 175°C
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : E-MELF
Təchizatçı cihaz paketi : D-5B

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • MMBD7000-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM