Infineon Technologies - IPB65R190C7ATMA1

KEY Part #: K6400940

IPB65R190C7ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [3223ədəd Stok]

  • 1,000 pcs$0.66340

Hissə nömrəsi:
IPB65R190C7ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB65R190C7ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB65R190C7ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB65R190C7ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R190C7ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB65R190C7ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH TO263-3
Seriya : CoolMOS™ C7
Hissə Vəziyyəti : Discontinued at Digi-Key
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 13A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 290µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1150pF @ 400V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 72W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB