ON Semiconductor - FQI4N80TU

KEY Part #: K6419019

FQI4N80TU Qiymətləndirmə (USD) [87801ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.45781
  • 1,000 pcs$0.45554

Hissə nömrəsi:
FQI4N80TU
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQI4N80TU elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQI4N80TU sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQI4N80TU üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI4N80TU Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQI4N80TU
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 880pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : I2PAK (TO-262)
Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA