Infineon Technologies - BSP613PH6327XTSA1

KEY Part #: K6420123

BSP613PH6327XTSA1 Qiymətləndirmə (USD) [162124ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.22814
  • 1,000 pcs$0.19643

Hissə nömrəsi:
BSP613PH6327XTSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Zener - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSP613PH6327XTSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSP613PH6327XTSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP613PH6327XTSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSP613PH6327XTSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
Seriya : SIPMOS®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 875pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.8W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-SOT223-4
Paket / Case : TO-261-4, TO-261AA