Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C8M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C8M16MSA-6BIN

KEY Part #: K939150

AS4C8M16MSA-6BIN Qiymətləndirmə (USD) [23793ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.92586
Hissə nömrəsi:
AS4C8M16MSA-6BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA. DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Daxili - Çip On Sistem (SoC), İnterfeys - Sensor, Kapasitif toxunuş, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti, Məntiq - Shift Qeydləri, Xətti - gücləndiricilər - alət, OP amper, bufer am, PMIC - İşıqlandırma, Balast nəzarətçiləri, PMIC - Enerji İdarəetmə - İxtisaslaşmış and Məntiq - FİFO Yaddaşı ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSA-6BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C8M16MSA-6BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C8M16MSA-6BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M16MSA-6BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C8M16MSA-6BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile
Yaddaş ölçüsü : 128Mb (8M x 16)
Saat tezliyi : 166MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -
Giriş vaxtı : 5ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 54-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 54-FBGA (8x8)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, ALL

  • S25FS256SDSNFI001

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 256M SPI 80MHZ 8WSON. NOR Flash 256Mb, 1.8V, 80Mhz DDR

  • MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 TSOP

  • RMLV0416EGBG-4S2#KC0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA. SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R

  • R1LP0408DSP-5SI#S0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP. SRAM 4Mb 5V Adv. SRAM x8, SOP, 55NS, T+R

İsti hissələr