Infineon Technologies - DF80R12W2H3FB11BPSA1

KEY Part #: K6534554

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Qiymətləndirmə (USD) [1273ədəd Stok]

  • 1 pcs$33.99664

Hissə nömrəsi:
DF80R12W2H3FB11BPSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies DF80R12W2H3FB11BPSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DF80R12W2H3FB11BPSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DF80R12W2H3FB11BPSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DF80R12W2H3FB11BPSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Seriya : EconoPACK™2
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 20A
Gücü - Maks : 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 20A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 2.35nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module