Infineon Technologies - IRF6662TRPBF

KEY Part #: K6419271

IRF6662TRPBF Qiymətləndirmə (USD) [100768ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.38997
  • 4,800 pcs$0.38803

Hissə nömrəsi:
IRF6662TRPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCRlər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRF6662TRPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRF6662TRPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRF6662TRPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6662TRPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRF6662TRPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1360pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DIRECTFET™ MZ
Paket / Case : DirectFET™ Isometric MZ