Infineon Technologies - IPA65R650CEXKSA1

KEY Part #: K6402077

IPA65R650CEXKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [71938ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.47663
  • 10 pcs$0.42186
  • 100 pcs$0.31549
  • 500 pcs$0.24467
  • 1,000 pcs$0.19316

Hissə nömrəsi:
IPA65R650CEXKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - TRIACs and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPA65R650CEXKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPA65R650CEXKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPA65R650CEXKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R650CEXKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPA65R650CEXKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Seriya : CoolMOS™ CE
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 440pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 28W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220 Full Pack
Paket / Case : TO-220-3 Full Pack

Maraqlı ola bilərsiniz
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.