Infineon Technologies - IPB65R280E6ATMA1

KEY Part #: K6418568

IPB65R280E6ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [68425ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.57144
  • 1,000 pcs$0.52423

Hissə nömrəsi:
IPB65R280E6ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - SCRlər and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB65R280E6ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB65R280E6ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB65R280E6ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R280E6ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB65R280E6ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH TO263-3
Seriya : CoolMOS™ E6
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 13.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 950pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 104W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB